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三星（Samsung）历史时间线

• 1969 三星电子成立 — 三星集团旗下成立三星电子，最初做家电与黑白电视，半导体还在远方。
• 1974 收购韩国半导体：踏入芯片 — 李秉喆力排众议，收购濒临倒闭的韩国半导体公司，三星正式踏入半导体行业。
• 1983 东京宣言：豪赌 DRAM — 李秉喆在东京宣布全力进军 DRAM，业界普遍不看好韩国能做存储；当年三星就拿出了 64K DRAM。
• 1984 64K DRAM 量产 — 64K DRAM 进入量产，三星开始在存储行业站稳脚跟。
• 1986 入场即遇暴跌，连年巨亏 — 刚入场就撞上 DRAM 价格暴跌，三星半导体连年巨亏，全靠集团其他业务输血硬扛。
• 1992 登顶全球 DRAM 第一 — 率先做出 64M DRAM，三星超越日本厂商成为全球第一大 DRAM 制造商——入场不到十年。
• 1993 成为全球第一大存储厂 — 三星在整体存储市场登顶，确立此后三十年的存储霸主地位。
• 1998 亚洲金融危机：逆势不退 — 亚洲金融风暴重创韩国，三星却维持半导体投资不退，为日后的"逆周期"战略定下基调。
• 2002 NAND 闪存登顶 / 黄氏定律 — 三星登顶 NAND 闪存全球第一，半导体掌门黄昌圭提出"存储密度每年翻倍"的黄氏定律，押注闪存浪潮。
• 2005 DRAM + NAND 双线称霸 — 三星同时坐稳 DRAM 与 NAND 双料第一，存储版图全面成型。
• 2009 逆周期投资：熬死奇梦达 — 2008–09 金融危机存储暴跌，三星逆势扩产压价，德国奇梦达 2009 年初破产，日本厂商节节败退。
• 2013 V-NAND（3D NAND）：突破微缩极限 — 2D NAND 逼近物理极限时，三星率先量产 3D V-NAND——把存储单元垂直堆叠，重新打开容量天花板。
• 2014 平泽超级工厂奠基 — 三星投入数百亿美元建设平泽（Pyeongtaek）半导体超级园区，巩固产能优势。
• 2017 营收超越 Intel：登顶全球最大芯片厂 — 内存超级周期推动下，三星半导体营收在 2017 年首次超过 Intel，成为全球营收最大的芯片厂商。
• 2017 李在镕行贿案入狱：治理动荡 — 实际掌门人李在镕卷入"亲信门"，因行贿被捕入狱，三星治理一度陷入动荡（后获假释，2022 年获特赦）。
• 2019 系统半导体 2030 愿景 — 三星宣布投入逾千亿美元，目标 2030 年在逻辑芯片与代工领域登顶，正面挑战台积电。
• 2022 抢先量产 3nm GAA — 三星全球率先量产 3nm GAA 工艺，名义上领先台积电，但良率与大客户进展不及预期，代工仍被台积电压制。
• 2023 存储寒冬：十四年来首次巨亏，被迫减产 — 2023 年存储暴跌，三星芯片部门录得史上最大季度亏损，最终一反常态宣布减产——它过去几乎从不主动减产。
• 2024 HBM 掉队：被海力士反超，英伟达订单旁落 — AI 爆发把 HBM 推上风口，但一向领先的三星在 HBM3/3E 上掉队，迟迟过不了英伟达验证，眼看 SK 海力士抢走王座。
• 2025 西安 NAND 厂与对华出口管制 — 三星在华西安 NAND 大厂面临美国设备出口管制的长期不确定性，需逐年申请豁免，先进设备升级受限。
• 2025 追赶 HBM3E：艰难重回供应链 — 三星 HBM3E 逐步通过部分客户验证，试图夺回在 AI 内存上失去的身位，但整体仍落后于 SK 海力士。